[15a-B508-1~8] 3.15 シリコンフォトニクス・集積フォトニクス

[15a-B508-2] SiN_x応力膜を用いたSi上Ge細線構造のバンドギャップ制御

〇(M1)園井 柊平¹、川下 和樹¹、片廻 陸¹、石川 靖彦¹ (1.豊橋技科大)

キーワード：Ge、シリコンフォトニクス

Si上に選択成長したサブミクロン幅のライン状Geに対して，SiN_x応力膜を用いた格子ひずみ導入および直接遷移バンドギャップ制御を試みた。引っ張り応力を内蔵するSiN_xを堆積することで，PL発光ピークが短波長化した．SiN_x膜によりGeへ圧縮応力が印加され，バンドギャップが増加した可能性がある．