[15a-D215-1~12] 7.2 電子ビーム応用

[15a-D215-11] InGaN半導体フォトカソードにおける量子効率のInGaN膜厚依存性

〇(D)佐藤 大樹^1,2、本田 杏奈²、小泉 淳²、西谷 智博^2,3、本田 善央³、天野 浩³ (1.名大院工、2.Photo electron Soul、3.名大IMaSS)

キーワード：負性電子親和力、フォトカソード、電子ビーム

本研究ではInGaN膜厚に対するInGaNフォトカソードの量子効率(QE)の依存性が明らかにされた。膜厚70, 100, 240 nmを有する3つのサンプルを作製した。励起光をサンプルの表裏(Front, Back)から照射しそれぞれのQEを測定した。膜厚70, 100, 240 nmの裏面照射におけるQEは、それぞれ7.5, 9.8, 0.9%であった。膜厚240nmのQEが他に比べて低い値を示したのは、InGaN膜厚の増加により格子が緩和されることで欠陥が増大し、励起された電子の拡散長が短くなったためと考えられる。