[15a-D411-1~11] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[15a-D411-5] 「箱庭法」によるSiO₂/Si界面の原子描像

〇神山 栄治^1,2、末岡 浩治² (1.グローバルウェーハズ・ジャパン㈱、2.岡山県立大)

キーワード：SiO2/Si界面、ゲッタリング、箱庭法

SiO₂/Si界面はデバイス中，トランジスタのゲート部や，デバイスのパシベーション・アイソレーション，Si基板内のゲッタリングサイトとしてのBMD（Bulk Micro Defect）など，多岐に渡って活用されている．本発表では，前報¹で考察した同界面の物性を手掛かりに，SiO₂/Si界面近傍における原子レベルの構造を理論的に予測する手法について述べる．