[15p-A201-1~15] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15p-A201-2] 第一原理計算による4H-SiC MOSにおける窒素アニール後の原子構造の探索

〇植本 光治¹、小松 直貴¹、小野 倫也¹ (1.神戸大工)

キーワード：SiC、第一原理計算

SiCのMOS-FETでは、SiO₂/SiC MOS界面の欠陥準位の存在によりチャネル移動度がバルクに比べ大幅に低下することが知られ、これに対し、ポスト酸化処理として窒素系ガスをもちいたアニーリングが用いられる。本研究では、第一原理電子状態計算によりSiC中のN原子・Si欠陥の安定性の評価をおこない、アニールによるN原子の侵入の起きやすい原子位置・面方位について議論する。