[15p-A201-1~15] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [15p-A201-7] リン処理を施したSiC(0001)/SiO₂界面における反転層電子のユニバーサル移動度の評価

〇伊藤 滉二¹、堀田 昌宏^1,2、須田 淳^1,2、木本 恒暢¹ (1.京大院工、2.名大院工)

キーワード：SiC、MOS、MOSFET