[15p-A302-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[15p-A302-11] 【注目講演】サファイア基板上格子緩和Al_0.6Ga_0.4Nおよび組成傾斜p-AlGaN層を用いたUVBレーザダイオード

〇佐藤 恒輔^1,2、安江 信次²、山田 和輝²、田中 隼也²、大森 智也²、石塚 彩花²、手良村 昌平²、荻野 雄矢²、岩山 章^2,3、三宅 秀人³、岩谷 素顕²、竹内 哲也²、上山 智²、赤﨑 勇^2,4 (1.旭化成、2.名城大、3.三重大、4.名大)

キーワード：窒化物、レーザダイオード、紫外

我々はこれまで開発してきた格子緩和n-Al_0.6Ga_0.4N下地構造およびIII族組成傾斜p-AlGaNクラッド構造を基とし、サファイア基板上UVB-LDの発振を実現した。共振器長300 umの利得導波型構造の素子において、発振閾値電流0.90 A（閾値電流密度 67 kA/cm²）、閾値電圧27.8V、波長298 nmにマルチモードのレーザ発振スペクトルを観測した。