[15p-A305-1~9] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[15p-A305-3] ポリイミド膜上(100)配向CWレーザ結晶化によるSi薄膜成長

〇佐々木 伸夫^1,2,3、Muhammad Arif²、浦岡 行治²、後藤 順³、杉本 重人³ (1.Sasaki Consulting、2.奈良先端大、3.ブイ・テクノロジー)

キーワード：レーザ結晶化、結晶方位、SOI

1回スキャンの（100)配向CWレーザ結晶化法により、ポリイミド薄膜上で、50 nm Si 薄膜の結晶成長を行った。