[15p-D215-1~11] 7.3 微細パターン・微細構造形成技術

[15p-D215-4] 化学増幅型EUVレジストのパターン形成の確率論的シミュレーション

〇(D)香山 真範¹、白井 正充¹、川田 博昭¹、平井 義彦¹、安田 雅昭¹ (1.大阪府大院工)

キーワード：極端紫外線リソグラフィ、化学増幅型レジスト、リソグラフィシミュレーション

本研究では確率論的モデルによるシミュレーション手法を用いて，化学増幅型EUVレジストのパターン形成過程を解析した．レジスト中の吸収エネルギー分布に応じて酸発生剤を活性化させ，酸を発生させる．酸はランダムウォーク法によって拡散し，クエンチャー濃度に応じて確率的に停止する．拡散中に酸は仮定した反応半径内のモノマーの脱保護反応を起こす．現像では一定の転化率以上のポリマーをレジスト中より除去した．