[15p-D311-1~8] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[15p-D311-2] YbFe₂O₄電子強誘電体PLD薄膜のエピタキシャル成長過程と電子状態
におよぼすアブレーションレーザーの影響

〇嶋本 健人¹、田中 淳平¹、三浦 光平¹、桐谷 乃輔¹、吉村 武¹、芦田 淳¹、藤村 紀文¹ (1.阪府大工)

キーワード：RFe2O4、PLD、電子強誘電体

RFe₂O₄(R:希土類)は、結晶内で三角格子を構成する同数のFe²⁺とFe³⁺が引き起こす電荷のフラストレーションによって、電子密度に極性が生じる電子強誘電体である。我々はパルスレーザー堆積 (PLD) 法において、高い結晶性を有するYbFe₂O₄エピタキシャル薄膜の生成に成功し、使用するレーザーのパワー(密度) がYbFe₂O₄の相形成に及ぼす影響を報告してきた。本発表では特に、YbFe₂O₄エピタキシャル薄膜においてアブレーションレーザーの波長の違いが形成する薄膜の相形成や電子状態に与える影響について報告する