16:00 〜 16:15 [13p-N323-12] 分子線エピタキシー法によるSi(111)基板上GaAsナノワイヤ成長における核形成段階の検討 〇(M1)村上 諒1、行宗 詳規1、石川 史太郎1 (1.愛媛大工)