11:00 〜 12:40 [23a-P10-8] SiドープAlGaN/6H-SiCの熱電子放出における動作温度の影響 〇藤本 拓矢1、木村 重哉2、吉田 学史2、宮崎 久生2、荻野 明久1 (1.静大院工、2.(株) 東芝 研究開発センター)