一般セッション(口頭講演)
9 応用物性 » 9.3 ナノエレクトロニクス
13:00 〜 13:15
〇天野 郁馬1、瘧師 貴幸1、谷澤 涼太1、福地 厚1、有田 正志1、高橋 庸夫1 (1.北大院情報)
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13:15 〜 13:30
〇西之坊 拓海1、余 叡聡1、真島 豊1 (1.東工大フロンティア研)
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13:30 〜 13:45
〇(D)Ruicong Yu1、Takumi Nishinobo1、Yutaka Majima1 (1.MSL, Tokyo Tech.)
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13:45 〜 14:00
〇大勝 賢樹1、西之坊 拓海1、猿山 雅亮2、寺西 利治2、真島 豊1 (1.東京工業大学フロンティア材料研究所、2.京都大学化学研究所)
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14:15 〜 14:30
〇(M1)八十島 和輝1、井上 太一1、竹井 邦晴1、有江 隆之1、秋田 成司1 (1.大阪府大工)
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14:30 〜 14:45
〇吉田 響1、坂本 克好1、山口 浩一1、曽我部 東馬1 (1.電通大i-PERC&基盤理工)
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14:45 〜 15:00
〇福田 渉1、坂本 克好1、山口 浩一1、曽我部 東馬1 (1.電通大基盤理工)
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15:00 〜 15:15
乙津 和希1,2、角谷 透1、島 久1、秋永 広幸1、塚越 一仁3、菅 洋志2、〇内藤 泰久1 (1.産総研、2.千葉工大、3.物材機構)
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