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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[10a-N101-1~7] 15.4 III-V族窒化物結晶

2021年9月10日(金) 09:30 〜 11:30 N101 (口頭)

田中敦之(名大)、小田将人(和歌山大)

10:00 〜 10:15

[10a-N101-3] 第一原理計算によるAlN(0001)およびGaN(0001)表面でのステップ形成エネルギーの評価

〇秋山亨¹、中谷淳嵩¹、清水紀志¹、相可拓巳¹、伊藤智徳¹ (1.三重大院工)

キーワード：化合物、第一原理計算