[10a-N101-1~7] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [10a-N101-6] コーン型NPSS 上 AlN テンプレートに成長させた AlN 厚膜の微細構造解析

〇中西 悠太¹、山本 望¹、濱地 威明¹、林 侑介¹、藤平 哲也¹、隅谷 和嗣²、今井 康彦²、木村 滋²、肖 世玉³、三宅 秀人^4,5、酒井 朗¹ (1.阪大院基礎工、2.JASRI、3.三重大地創戦略企、4.三重大院地域イノベ、5.三重大院工)

キーワード：窒化物半導体、窒化アルミニウム、深紫外LED

深紫外 LED 開発において、発光効率改善のために様々な技術が提案されている。本研究では、コーン型の ナノパターン加工サファイア基板（ NPSS） と face to face アニール（FFA）を施した スパッタ 堆積 AlN （FFA Sp AlN ）、さらには ハイドライド気相成長（HVPE）法を組み合わせた AlN厚膜について透過型電子顕微鏡（TEM）とナノビーム X 線回折（nanoXRD）を用いてNPSS と AlN 界面近傍 における 結晶構造解析を詳細に行った 。