[10a-N104-1~9] 16.3 シリコン系太陽電池

[10a-N104-6] 光発電用nm スケールの不純物領域、そのイオン注入とアニール方法

〇城之下 勇¹ (1.個人参加)

キーワード：光発電、イオン注入、アニール

単結晶Siへの特殊なイオン注入によりnmスケールのドーパントリッチな領域を作成する方法が提案されている。このような領域 "Region" による光吸収は、光子のエネルギーが共鳴条件のときのみ特異的に大きくなり、光子は吸収される。
また、この共鳴による光吸収は、基本的に損失の無い高効率の光吸収となるが、このRegionを太陽電池の光吸収層内に作製するための障害として、結晶シリコン中のドーパント原子、あるいはイオンの拡散現象がある。特にｎ型ドーパントとして最もよく用いられているリン（phosphorus）においては、その拡散は大きい。
今回の発表においてはこの拡散現象に焦点を当て、Region内のドーパント分布を形成するためのイオン注入の特殊性も考慮し、その分布を維持あるいは促進するために必要なアニール方法について考察する。