[10a-N203-1~10] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[10a-N203-1] 数値解析によるCz法シリコン単結晶成長時の組成的過冷却に関する研究

〇(D)向山 裕次^1,2、アーティミフ ウラジミール³、カラエフ ウラジミール³、末岡 浩治⁴ (1.岡山県立大院情報系工、2.STR Japan株式会社、3.STR Group,Inc.、4.岡山県立大情報工)

キーワード：シリコン、組成的過冷却、Cz法

Cz法Si単結晶成長時の高ドーピングにより，結晶内において転位や粒界が発生することが知られている．この様な欠陥が発生する要因は，組成的過冷却による形態的不安定性と考えられている．高品質な高ドープSi単結晶を成長させるためには，この組成的過冷却を制御する必要がある．本研究では，偏析を含むドーパントの融液内の輸送を考慮した3次元数値解析を行うことにより，固液界面近傍の組成的過冷却に関して調査した．