[10a-N306-1~11] 17.2 グラフェン

[10a-N306-8] SiC上のグラフェンドットの格子歪みと擬磁場

〇(M2)賈 鍾睿¹、ビシコフスキー アントン¹、飯盛 拓嗣²、小森 文夫²、田中 悟¹ (1.九大院工、2.東大物性研)

キーワード：グラフェン、格子歪み、擬磁場

4H-SiC(0001)上に微量C₂H₄とO₂/Arを添加するCVD法でグラフェンを作製する時、三角形のグラフェンドットが形成され、ドットサイズが成長時間により変化する現象を見出した。本研究はグラフェンドットのサイズを成長時間により変化させ、歪みと擬磁場に与える影響を解明することを目的としている。