2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[10p-N101-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

2021年9月10日(金) 13:00 〜 18:30 N101 (口頭)

有田 宗貴(東大)、片山 竜二(阪大)、石井 良太(京大)

15:45 〜 16:00

[10p-N101-11] 水素雰囲気異方性熱エッチング法によるGaNナノポーラス結晶の作製

倉邉 海史1、山﨑 裕貴1、木下 堅太郎1、米田 幸司1、菊池 昭彦1,2,3 (1.上智大理工、2.上智大フォトニクス研究センター、3.上智大学半導体研究所)

キーワード:GaN、ポーラス構造