[10p-N101-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [10p-N101-13] H3共振器によるEu添加GaNフォトニック結晶共振器のQ値向上と光学特性評価

〇岩谷 孟学¹、市川 修平^1,2、Dolf Timmerman¹、村上 雅人¹、舘林 潤¹、藤原 康文¹ (1.阪大院工、2.阪大超高圧電顕センター)

キーワード：フォトニック結晶ナノ共振器、GaN:Eu

GaN系赤色発光素子の発展を目指し、Eu添加GaNにフォトニック結晶共振器を導入してLEDの発光効率向上やレーザダイオードの実現を目指しているが、作製誤差によるQ値の減少が課題である。以前に、H3共振器は作製誤差が生じても高Q値を実現可能という計算結果を報告した。本研究では実際にH3共振器を作製し、報告されている可視光域での窒化物半導体のQ値(<5500)を大きく上回る7500の高Q値を観測したので報告する。