[10p-N101-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

[10p-N101-18] 極性／半極性InGaN/GaNの表面プラズモン発光増強における輻射・非輻射再結合速度の変化と内部量子効率の向上

〇池田 健人¹、河合 奏太¹、松山 哲也¹、和田 健司¹、岡田 成仁²、只友 一行²、岡本 晃一¹ (1.阪府大院工、2.山口大院創成)

キーワード：プラズモニクス、InGaN/GaN、内部量子効率

我々は以前，極性面/半極性面GaN上に成長させたInGaN/GaN量子井戸の青色発光の表面プラズモン(SP)共鳴による発光増強に成功した．今回，時間分解PLの温度依存性を測定し， SP共鳴による内部量子効率の改善に加えて，輻射・非輻射再結合速度に与えるSP共鳴の影響を見積もることで，より詳しく発光増強機構を解析したので報告する．