2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[10p-N101-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

2021年9月10日(金) 13:00 〜 18:30 N101 (口頭)

有田 宗貴(東大)、片山 竜二(阪大)、石井 良太(京大)

15:00 〜 15:15

[10p-N101-8] 炭素フリー原料を用いてサファイア基板に気相成長させたh-BN薄膜の空間分解カソードルミネッセンス評価

秩父 重英1、嶋 紘平1、梅原 直己2、小島 一信1、原 和彦2,3 (1.東北大多元研、2.静大創造科学院、3.静大電子研)

キーワード:半導体、BN、カソードルミネッセンス

六方晶相BNに、本来ならば高温高圧で安定な立方晶閃亜鉛鉱構造のBNが​稀に混入する場合がある。本講演では、炭素フリー原料を用いてサファイア基板に減圧CVD成長させた高純度h-BN薄膜の、表面および断面空間分解カソードルミネッセンス測定結果を報告し、発光メカニズムについて議論する。