[10p-N102-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[10p-N102-11] Si(001)基板上に成長したGaNのpn接合における電気・光学特性

〇(M2)森 健¹、宮川 勇人¹、小柴 俊¹、秋山 英文² (1.香川大工、2.物性研)

キーワード：半導体、窒化物半導体

当研究グループはSi基板に結晶成長させたGaNの結晶構造と物性を研究している。これは高価で導電性に欠けるために電気デバイスとして汎用性の少ないサファイア基板よりコストを低減できるという利点がある。本報告では、Si基板上にドープしたGaNを成長させることで作製したpnヘテロ接合についてIV測定により整流特性評価を行い、PLならびにEL測定によって光学特性評価した結果を発表する。