[10p-N102-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[10p-N102-8] 低酸素GaNターゲットを用いたスパッタによるGaN薄膜の応力制御

〇末本 祐也¹、上岡 義弘¹、召田 雅実¹ (1.東ソー株式会社)

キーワード：窒化ガリウム、GaN、スパッタ

スパッタ法を用いたGaNの成膜は、従来のMOCVD法のような有機金属や大量のアンモニアが不要なため、より低コストかつ低毒性なプロセスとして期待されている。本発表では、Si基板上にスパッタ法によるGaN薄膜の成膜および膜応力について報告する。