2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.13 半導体光デバイス

[10p-N103-1~16] 3.13 半導体光デバイス

2021年9月10日(金) 13:45 〜 18:00 N103 (口頭)

荒井 昌和(宮崎大)、橋本 玲(東芝)

16:45 〜 17:00

[10p-N103-12] 電極厚さがレーザ受光用光電変換素子の特性に及ぼす影響の調査

櫛山 爽1、西岡 賢祐1、荒井 昌和1 (1.宮崎大工)

キーワード:光無線給電

光無線給電の効率向上にはレーザ受光に特化した構造最適化が必要である。特にデバイス面内に不均一な強度分布を持つレーザの受光に際しては電極の横方向の電気抵抗(直列抵抗)の低減が重要と考えられる。今回、電極の厚さを200, 500, 800 nmと変えた3種類のGaAs光電変換素子を作製して、レーザ受光時の特性の違いを評価したところ、フィルファクタに顕著な差が見られた。フィルファクタは厚さ800 nmの際が最大となり、71.4%を実現した。