[10p-N301-1~8] 福島第1原発廃炉と福島復興　－応用物理学会の会員として，私たちに何ができるか－

[10p-N301-4] 耐放射線性炭化ケイ素半導体デバイスの開発

〇大島 武¹、武山 昭憲¹、牧野 高紘¹、黒木 伸一郎²、田中 保宣³ (1.量研、2.広島大ナノデバイス、3.産総研)

キーワード：放射線照射効果、炭化ケイ素半導体デバイス、トータルドーズ効果

半導体デバイスは、性能向上とともに過酷環境での使用が期待され、今回のシンポジウムのテーマである原子炉の廃止措置では、放射線耐性が必須となる。講演では、炭化ケイ素（SiC）半導体デバイスを中心に、照射量の増加と共に劣化が増大するトータルドーズ効果の観点から、デバイス作製プロセスや構造の違いが耐放射線性に及ぼす影響を考察するとともに、我々が進めているSiCを用いた撮像素子の開発の現状について紹介する。