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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[10p-N304-1~10] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2021年9月10日(金) 13:30 〜 16:15 N304 (口頭)

嵯峨幸一郎(ソニー)、森伸也(阪大)

15:30 〜 15:45

[10p-N304-8] 原子論モデルを用いた乱れた量子ドットのエネルギー分布解析

〇(M2)Lim JIN HYONG¹、森伸也¹ (1.阪大院工)

キーワード：量子ドット、シミュレーション、原子論モデル