[10p-N323-1~12] 13.3 絶縁膜技術

[10p-N323-8] LPCVD SiN膜耐圧とN₂アニール温度（Ⅰ）TDDB頻度とESR検討

〇栗田 久嗣¹、中村 真貴¹、宮川 勇人²、神垣 良昭³ (1.ローム浜松、2.香川大創造工、3.EBL)

キーワード：窒化膜、耐圧、電子スピン共鳴

SiN膜キャパシタの信頼性向上のために絶縁膜耐圧に及ぼすN₂アニール温度の影響を調べた。本研究では耐圧をTime Dependent Dielectric Breakdown(TDDB)法にて、欠陥をElectron Spin Resonance(ESR)法にて評価した。