[10p-S203-1~21] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[10p-S203-21] 塗布法による酸化ガリウム薄膜の作製とその物性評価

〇(M2)百田 明紘¹、川野 美晴¹、芝原 拓哉¹、大谷 直毅¹ (1.同志社大学)

キーワード：半導体、酸化ガリウム

近年、半導体であるシリコンは現状以上の効率化が難しいとされ、炭化ケイ素や窒化ガリウムといったワイドバンドギャップ半導体の実用化が始まっている。その中でも酸化ガリウムはバンドギャップが4.8eV-5.3eVと非常に広く透明導電膜やパワーデバイスへの応用が期待されている。当研究室では作製コスト削減のために塗布法により薄膜作製条件の検討を行う。そして本研究では焼成条件と成膜条件を変化させ薄膜の平坦性の評価をした。