[10p-S203-1~21] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[10p-S203-5] 抵抗変化デバイスの特性を考慮した確率共鳴シミュレーション

〇小竹 克弥¹、牛久 拓真¹、木下 健太郎¹ (1.東理大理)

キーワード：確率共鳴、抵抗変化メモリ

確率共鳴とは，入力信号にノイズを重畳することで，入出力の相関係数があるノイズ強度でピークをとる現象である．確率共鳴のピーク位置は閾値に依存するため，素子間 (device-to-device)の閾値ばらつきに注目した研究は存在するが，素子内(cycle-to-cycle)の閾値ばらつきが考慮された例はない．本研究では，単一素子内の閾値ばらつきを考慮した確率共鳴シミュレーションを行い，応答への影響を調査した．