[11a-N101-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

[11a-N101-3] HVPE-GaN(0001)基板にVickers圧入で生じた転位構造

〇石川 由加里¹、横江 大作¹、菅原 義弘¹、姚 永昭¹ (1.JFCC)

キーワード：GaN、ビッカース圧入、転位

ウエハ加工時の加工変質層厚を推定する方法を確立することを目的に、加工工程のひとつである押し込みのモデル実験としてGaN基板にVickers圧入し、形成した圧痕サイズとその周囲の転位の3次元広がりの相関調べ、比例関係にあることを見出した。これによりスクラッチ幅から加工変質層厚を推定可能なことを示した。