[11a-N101-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

[11a-N101-5] [講演奨励賞受賞記念講演] HVPE成長させたp型GaNの電気的特性および構造欠陥評価

〇大西 一生¹、天野 裕己¹、藤元 直樹²、新田 州吾²、渡邉 浩崇²、本田 善央²、天野 浩^2,3,4 (1.名大院工、2.名大IMaSS、3.名大ARC、4.名大VBL)

キーワード：ハライド気相成長、p型GaN

ハライド気相成長（HVPE）法を用いて成長させたMg濃度10¹⁷～10²⁰ cm^-3を有するp型GaNの電気的特性をHall効果測定を用いて評価した。また, 高Mg濃度のp型GaN中に生じる極性反転領域の評価も行った。その結果, HVPEさせたp型GaNの電気的特性および形成した極性反転領域は従来のMOVPE成長させたp型GaNと同様な傾向であった。本発表では, 得られた電気的特性および極性反転領域の詳細を議論する。