[11a-N101-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [11a-N101-8] 1300^oC高温環境下での多結晶抑制によるOVPE-GaN結晶の高速成長

〇清水 歩¹、宇佐美 茂佳¹、神山 将大¹、今西 正幸¹、丸山 美帆子¹、吉村 政志²、秦 雅彦³、伊勢村 雅士⁴、森 勇介¹ (1.阪大院工、2.阪大レーザー研、3.伊藤忠プラスチックス(株)、4.(株)創晶應心)

キーワード：窒化ガリウム、OVPE、半導体

Ga源としてGa₂Oガスを用いるOVPE法では、HClフリーのため固体の副生成物が生成せず、原理的に長時間の成長が期待できる。一方で、100μm/h以上の高速成長条件において基板上に発生する多結晶により厚膜化が阻害されるという問題がある。本研究では育成温度向上による気相核生成の発生抑制に着眼し、1300^oCの高温環境下において多結晶生成を抑制することで、約200µm/hの成長速度でのOVPE-GaN結晶の厚膜成長を試みた。