[11a-N205-1~11] CS.9 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション

[11a-N205-8] 強誘電体Hf_xZr_1-xO₂の極薄膜化による低電圧保持特性と書換回数の向上

〇トープラサートポン カシディット¹、田原 建人¹、彦坂 幸信²、中村 亘²、齋藤 仁²、竹中 充¹、高木 信一¹ (1.東大院工、2.富士通セミコンダクターメモリソリューション)

キーワード：ハフニア強誘電体、薄膜、信頼性

Hf_xZr_1-xO₂を含めたHfO₂系強誘電体は従来の強誘電体と比べてCMOS親和性が優れており、最先端LSIの混載強誘電体メモリとして大きな注目を集めている。しかし、大きい動作電圧および絶縁破壊による素子信頼性が顕著な課題であるとされている。本研究は、薄膜にすることで低電圧化に加え、低電圧でのリテンション特性およびエンデュランス特性の向上も得られることが明らかになったので報告する。