[11a-N207-1~9] 3.15 シリコンフォトニクス・集積フォトニクス

[11a-N207-7] SOI上Ge細線構造を用いた横方向pinダイオードの受光スペクトル

〇稲葉 喬亮¹、藤方 潤一²、野口 将高²、片廻 陸¹、石川 靖彦¹ (1.豊橋技科大、2.PETRA)

キーワード：半導体、Ge受光器