[11a-N304-1~11] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[11a-N304-10] 絶縁膜上への多結晶 BaSi₂膜の形成と電気特性評価

〇吉田 竜一¹、小板橋 嶺太¹、山下 雄大¹、召田 雅実²、都甲 薫¹、末益 崇¹ (1.筑波大学、2.東ソー株式会社)

キーワード：半導体

新規熱電材料としてBaSi₂に着目している。BaSi₂は資源が豊富で有毒ではないBaとSiで構成されている。しかし、熱電特性を含めて電気特性評価時に Si 基板の寄与を排除することは容易でない。本研究では、Si 基板上に絶縁体であるSi₃N₄膜を堆積し、その上にBaSi₂膜を形成することで、BaSi₂膜の電気特性を評価すること を目的とする。