[11a-N304-1~11] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

△ [11a-N304-3] ポストアニールを施したAs-doped BaSi₂膜の特性評価

〇青貫 翔¹、成田 隼翼¹、都甲 薫¹、末益 崇¹ (1.筑波大)

キーワード：半導体、バリウムシリサイド