[11a-N305-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[11a-N305-5] 常圧1400℃アニール処理したMg/Nイオン注入GaN結晶のアクセプタ活性化率の評価

〇大森 雅登¹、渡邉 健太²、宮崎 泰成¹、白石 舞翔¹、和田 竜垂¹、大川 峰司² (1.大分大、2.ミライズテクノロジーズ)

キーワード：窒化ガリウム、Mgイオン注入

イオン注入技術はGaNパワーデバイス実現のため必須の要素技術である。本研究ではMg/Nイオンを共注入しAlN保護膜を製膜したGaNを常圧下にて1400℃でアニールし，MgがGaサイトに入りアクセプタとなる割合（アクセプタ活性化率）を評価したので報告する。