[11a-N323-1~9] 12.2 評価・基礎物性

[11a-N323-6] CMOSプロセスに適合した縦型分子トランジスタの開発

〇早川 竜馬¹、Basu Tuhin Shuvra¹、若山 裕¹ (1.物材機構)

キーワード：分子量子ドット、単電子トランジスタ、縦型トランジスタ

分子は、原子レベルで均一なサイズと離散した分子軌道を持つ。そのため、サイズ分布の無い量子ドットとして機能する。我々は、これまで既存トランジスタの基本構造である金属－絶縁体－半導体構造の絶縁膜にC₆₀分子を始め様々な分子を集積し、2重トンネル接合として機能することを実証してきた。本講演では上記トンネル接合をチャネル層に用いた縦型トランジスタへ拡張したので報告する。