[11a-S301-1~7] 未来デバイス製造のためのアトミックレイヤープロセス；表面反応ダイナミクスの理解と制御

[11a-S301-3] ALD（Atomic Layer Deposition）法の基礎と半導体デバイスへの応用

〇浦岡 行治¹、上沼 睦典¹ (1.奈良先端大)

キーワード：原子層堆積、半導体、薄膜

原子レベルで精密に堆積することの可能なALD（Atomic Layer Deposition）法は、微細なLSIや薄膜トランジスタ、パワーデバイスなどへの応用に向けて広く活用されてきた。さらに今後AI（人工知能）などあらたな応用にむけて、超高密度な半導体デバイスの形成にも、注目が高まっている。本講演では、ALD堆積法の基礎から応用事例までを紹介する。