[11a-S301-1~7] 未来デバイス製造のためのアトミックレイヤープロセス；表面反応ダイナミクスの理解と制御

[11a-S301-4] 次世代高信頼性配線形成を目指したCo-ALDプロセスの検討

〇山口 潤¹、出浦 桃子¹、百瀬 健¹、霜垣 幸浩¹ (1.東大院工)

キーワード：原子層堆積、配線、コバルト

近年，Co系材料が半導体集積デバイスの新規配線材料やCu配線におけるライナー/バリア層，メタルキャップ層として注目を集めている。これらの用途には，高品質極薄膜の大面積均一形成や高アスペクト比構造埋め込みなどが必要であり，原子層堆積(ALD)法の利用が検討されている。本研究では，原料としてBis(N-t-butyl-N'-ethylpropanimidamidato)Cobaltを用い，熱ALDによるCo製膜の検討を行ったので報告する。