[11p-N207-1~13] 3.15 シリコンフォトニクス・集積フォトニクス

[11p-N207-8] HfO₂系強誘電体を用いた光位相変調の検証

〇高城 和馬¹、関根 尚希¹、トープラサートポーン カシディット¹、高木 信一¹、竹中 充¹ (1.東大院工)

キーワード：ポッケルス効果

インターネットやデータセンター内での通信量の指数関数的増加に対応するため、光ファイバー通信の大容量・省電力化が強く求められている。このため、Siフォトニクスを用いた大規模光集積回路の重要性が増し、その中でもSi光変調器の高効率化・高速化が最も重要な研究課題と言える。本研究では、Si光導波路上にHfO₂系強誘電体膜であるHf_0.5Zr_0.5O₂（HZO）を堆積した光変調器を作製し、電圧印加による光位相変調を評価したので報告する。