2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[11p-N304-1~13] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2021年9月11日(土) 13:30 〜 17:00 N304 (口頭)

末益 崇(筑波大)、寺井 慶和(九工大)

16:30 〜 16:45

[11p-N304-12] 混成汎関数法による狭ギャップ半導体α-SrSi2熱電輸送特性の第一原理計算

塩尻 大士1、飯田 努1、山口 諒人1、平山 尚美2、今井 庸二1 (1.東京理科大、2.島根大)

キーワード:シリサイド、低温熱電、第一原理計算

持続可能な社会の実現に向けて、ユビキタス且つ膨大な熱エネルギーの高効率利用が求められている。高性能な環境調和型熱電材料の実現には、第一原理計算による材料設計と実験的検証の相互連携が不可欠だが、通常の密度汎関数法ではバンドギャップを過小評価するため輸送特性の精密な計算が困難である。本研究では、低温熱電材料α-SrSi2について、混成汎関数を用いた第一原理計算により精密な熱電輸送特性の算出を試みた。