[11p-N305-1~10] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[11p-N305-3] 4H-SiC/SiO₂界面での窒素取り込みの面方位依存性に関する理論検討

〇秋山 亨¹、清水 紀志¹、伊藤 智徳¹、影島 博之²、白石 賢二³ (1.三重大院工、2.島根大自然科学、3.名大未来研)

キーワード：化合物、第一原理計算