2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

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シンポジウム(口頭講演)

シンポジウム » 未来デバイス製造のためのアトミックレイヤープロセス;表面反応ダイナミクスの理解と制御

[11p-S301-1~7] 未来デバイス製造のためのアトミックレイヤープロセス;表面反応ダイナミクスの理解と制御

2021年9月11日(土) 13:30 〜 16:55 S301 (口頭)

関根 誠(名大)、金 載浩(産総研)

15:45 〜 16:15

[11p-S301-5] ALE・ALD技術を用いた微細加工プロセスの開発と今後の展望

本田 昌伸1、勝沼 隆幸1、熊倉 翔1、木原 嘉英1 (1.東京エレクトロン宮城)

キーワード:原子層エッチング、原子層成膜

先端微細加工プロセスにおいて要求される、加工形状・CD寸法を実現するためには表面反応を緻密に制御することが重要である。原理的に表面反応の制御性に優れているALE, ALDのコンセプトは様々なエッチング工程に応用され、加工性能のさらなる向上に寄与していくことが期待される。