[12a-N101-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [12a-N101-3] GaN系VCSELに向けた微小段差による横方向光閉じ込め・電流狭窄構造

〇(M1)田中 実乃里¹、飯田 涼介¹、小田 薫¹、稲垣 徹郎¹、柴田 夏奈¹、長澤 剛¹、竹内 哲也¹、岩谷 素顕¹、上山 智¹ (1.名城大理工)

キーワード：GaN、横方向光閉じ込め構造、電流狭窄構造