[12a-N104-1~10] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[12a-N104-3] フラッシュランプアニールにより形成したpoly-Si膜の欠陥アニール

〇柳 雄大¹、王 崢¹、Huynh Thi Cam Tu¹、大平 圭介¹ (1.北陸先端大)

キーワード：薄膜多結晶シリコン、急速熱アニール

FLAにより形成したpoly-Si膜への、RTAによる欠陥アニールを試みた。RTAを行った試料をラマン分光法で評価したところ、FWHMが小さくなり、結晶性の改善が確認された。また、アニール時間の増大にともないFWHMが小さくなる傾向が見られた。FWHMの低下は3 minほどで飽和しており、短時間のRTAでの低欠陥化が期待できる。