[12a-N104-1~10] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[12a-N104-8] カルコゲナイド系アモルファス薄膜における光誘起伝導度変化

〇小林 隼嗣¹、林 浩司² (1.岐阜大院自然、2.岐阜大工)

キーワード：アモルファス半導体、暗伝導度、光誘起現象

光照射による光伝導度低下はアモルファス半導体に共通の現象として考えられており、その原因は光照射によって生成される欠陥によると考えられているが、我々はカルコゲナイド系アモルファス半導体薄膜において、光照射により光伝導度が増加する現象を見出しており、欠陥生成だけでは説明が付かないことを報告してきた。今回は、光照射による暗伝導度の変化について、詳細を調べたので報告する。