[12a-N206-1~9] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[12a-N206-4] 窒素アニールによるn型SnO₂薄膜の電荷移動と伝導型変換

〇(M1)渡辺 幸太郎¹、川口 拓真¹、山口 智広¹、尾沼 猛儀¹、本田 徹¹、相川 慎也¹ (1.工学院大工)

キーワード：窒素アニール、導電型変換、n型SnO2