2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

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[12a-N206-1~9] 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2021年9月12日(日) 09:00 〜 11:30 N206 (口頭)

三溝 朱音(東理​大)

10:30 〜 10:45

[12a-N206-6] ゾルゲルBaSnO3薄膜FETの不安定性と抵抗変化スイッチング現象

〇(M1)前山 滉貴1、野内 亮1,2 (1.大阪府立大院工、2.JST さきがけ)

キーワード:錫酸バリウム、ペロブスカイト、ゾルゲル法

本研究では、Ba(CH3COO)2とSn(CH3COO)4から生成したゾルゲル前駆体溶液を用いて、SiO2/p++-Si基板と熱酸化膜を有さない高ドープSi基板上にBaSnO3ゾルゲル薄膜を作製し、その電気的特性について調査した。その結果、FETの出力特性においてドレイン電圧が20 V以上の領域で電流値の上昇が確認された。二端子素子における電気的測定を行ったところ、電極界面起因の抵抗スイッチング現象が確認されており、FET特性における不安定性はこれに起因するものと考えられる。