[12a-N305-1~10] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[12a-N305-8] 4H-SiC中シリコン空孔における光検出磁気共鳴スペクトルの温度依存性

〇(M1)元木 秀^1,2、佐藤 真一郎²、増山 雄太²、山﨑 雄一²、土方 泰斗¹、大島 武² (1.埼玉大工、2.量研)

キーワード：シリコン空孔、光検出磁気共鳴、磁気センサ

炭化ケイ素中のシリコン空孔(V_Si^-)は、厳環境対応磁気センサへの応用が期待できるが、磁気センシングの基本原理となる光検出磁気共鳴(ODMR)現象の高温下での振る舞いは明らかになっていない。本研究では、V_Si^-の基底準位におけるODMRスペクトルの温度変化を系統的に調査した。その結果、高温ほどODMRコントラストが低下すると共に半値幅が増加することがわかった。講演ではそのメカニズムや形成濃度の影響についても議論する。